技術紹介


出典:東京工業大学 未来産業技術研究所 大場隆之研究室

WOWが推進する技術の特徴は、20ミクロン以下に薄化したデバイスウエハを制限なく積層できる点にあります。
この技術を利用すれば積層数に応じた集積度が得られます。
薄化ウエハの積層後に、スルー・シリコン・ビア(TSV:Through-Silicon Via)と配線層が直接に電気的接続を行うため、従来から生産性の障害となっていたエッチング加工と金属配線の埋め込み工程が飛躍的に容易となります。
また、薄化ウエハの厚さが上下ウエハの配線距離となることから、高密度高速通信が可能になります。同技術では、トランジスタ工程から三次元積層までをウエハの形状で取り扱えるため、前工程で培われた装置・材料、またプロセスを応用しやすく、従来の個片化したチップを用いた三次元化に比べ量産性が高く、コスト設計がしやすくなるメリットがあります。


出典:東京工業大学 未来産業技術研究所 大場隆之研究室

COW(Chip on Wafer):
Chip B smaller than that is laminated in the chip A formed on the wafer.
After that it’s divided into a chip.

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